[1]周俊华,雷银照..正磁致伸缩铁磁材料磁记忆现象的理论探讨[J].郑州大学学报(工学版),2003,24(03):101-105.[doi:10.3969/j.issn.1671-6833.2003.03.026]
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正磁致伸缩铁磁材料磁记忆现象的理论探讨(
)
《郑州大学学报(工学版)》[ISSN:1671-6833/CN:41-1339/T]
- 卷:
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24
- 期数:
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2003年03期
- 页码:
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101-105
- 栏目:
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- 出版日期:
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1900-01-01
文章信息/Info
- 作者:
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周俊华; 雷银照.
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郑州大学电气工程学院,河南,郑州,450002, 北京航空航天大学电气工程系,北京,100083
- 关键词:
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分子场; 应力集中; 铁磁材料; 磁记忆检测
- DOI:
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10.3969/j.issn.1671-6833.2003.03.026
- 摘要:
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针对金属磁记忆无损检测原理,基于铁磁性的唯像理论,利用一个近似的分子场,得到了地磁场中受应力作用的铁磁杆件的有效场表达式;利用能量最小原理,得到了分子场参数表达式;根据所得的有效场表达式,解释了磁致伸缩为正的铁磁材料在应力集中处漏磁场切向分量出现最大值、同时法向分量为零值的现象,并进行了仿真计算.
更新日期/Last Update:
1900-01-01