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    作者中包括 方岩震 的文章

1 SiC加热元件在N2气氛下使用损毁机理研究
刘新红,牛智旺,周超杰,王大军,方岩震,刘锴 2014年03期 [24-29][摘要](3351)[pdf 1574KB](1967)
2 SiC加热元件在N2气氛下使用损毁机理研究
刘新红,牛智旺,周超杰,王大军,方岩震,刘锴 2014年03期 [20-28][摘要](2930)[pdf 289KB](364)